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渗碳轴承钢锻件-技术条件 GB /T 33522 - 2017

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① 残余铜含量
②当采用真空脱氧(VCD)工艺冶炼时,Si硅含量应≤0.10%
注:技术数据仅供参考,请以官方原件为准!
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